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冷热冲击试验箱集成电路的选用

文章出处:本站责任编辑:admin人气:367发表时间:2019-01-04 14:38:27

   冷热冲击试验箱,二箱式冷热冲击试验箱,两箱式冷热冲击试验箱厂家解析集成电路的选用。π1 数字集成电路标准系列主要适用于速度和功耗要求不严格的电路,其典型的门功耗为10 mW ,传输延迟时间为10 ns ,扇出系数为10 。低功耗数字电路主要用于功耗要求特别严格的电路,其典型的门功耗为1 mW ,传输延迟时间为30 ns ,可驱动一个标准门或10 个低功耗门。它允许较大的组装密度。由于工作电流较低,因而降低了噪音,并可减少对电源的要求。

   高速数字电路主要用于高速数字系统,其典型门功耗为23 mW ,传输延迟时间为6 ns ,可驱动12 个π1 门或10 个高速门,肖特基型电路主要用于超高速数字处理系统,其典型门功耗为19mW ,传输延迟时间为3 ns ,可驱动12 个标准'ITL 门或10 个肖特基门。CMOS 数字电路主要用于功耗要求很严格而速度又不高的电路。其典型门功耗为10 μW( 10 kHz 时),传输延迟时间为50 ns ,可驱动50 个MOS 门或1 个标准π1 门,噪音抗扰度为1. 5 V (而π1 电路抗扰度为0.4 V )。CMOS 电路适用于高噪音环境,电源电压为3 v -15 v。线性集成电路主要适用于信号放大、控制和传输以及电压调整。线性集成电路的失效模式主要有性能退化(约占83% )、引脚间开路(约占9% )或短路(约占7% )以及机理异常(约占1% )。

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